收藏本站
TT8J2
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2.>
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS =± 20V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 30
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS = 0V
?
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
? 1.0
?
?
?
1.8
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
60
95
115
?
460
65
40
7
20
35
14
4.8
1.8
1.2
? 1
? 2.5
84
130
160
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = ? 30V, V GS = 0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 2.5A, V GS = ? 10V
I D = ? 1.2A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.2A, V GS = ? 4V
V DS = ? 10V, I D = ? 2.5A
V DS = ? 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
V DD ? 15V
V GS = ? 10V
I D = ? 1.2A
R L 12.5 ?
R G = 10 ?
V DD ? 15V
V GS = ? 5V
I D = ? 2.5A
R L 6 ? / R G = 10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 2.5A, V GS = 0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2/5
2009.02 - Rev.A
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
TT8K2TR MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8
TT8M2TR MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8
TT8U1TR MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
TXN310110000000 TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL
U5151-000005-030PA SENSOR 30PSIA 1/4NPT 4-20MA 2'
UB01KW035C-CC INDICATOR SQ RED ILLUM RED CAP
UB201KW036G-3JB INDICATOR PB BLU ILL SQ FLAT CAP
UM5K1NTR MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353
相关代理商/技术参数
TT8K1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET
TT8K11 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch + Nch MOSFET
TT8K1TR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
TT8K2 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET
TT8K2_09 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET
TT8K2TR 功能描述:MOSFET SW MOSFET MIDDLE PWR N-CH 30V2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TT8M1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch + Pch MOSFET
TT8M11 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch + Pch MOSFET